澳柯玛云联请求pMOS器材的制作办法专利不会构成锗硅源漏中的Si和Ge的损耗

　　国家知识产权局信息数据显现，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司请求一项名为“pMOS器材的制作办法”的专利，公开号CN121099627A，请求日期为2024年6月。

　　专利摘要显现，本发明供给一种pMOS器材的制作办法，在钴金属层与锗硅源漏之间设置层叠厚度较薄、硼掺杂浓度自下而上逐步减小的至少三层富硼层并在最上层的富硼层上构成厚度较大且无硼和无锗掺杂的硅盖帽层，拉大了锗硅源漏和钴金属层之间的间隔，使钴只与硅盖帽层中的Si触摸反响，而不会非直触摸摸锗硅源漏而与其间的Ge反响，因而不会构成锗硅源漏中的Si和Ge的损耗，且进步钴硅化物均匀性，一起还使用高掺杂B元素的富硼层来按捺锗硅源漏中的Ge在钴硅化反响和后续的高温工艺下分散，处理钴硅化物团簇问题，且使用B浓度自下至上逐步下降，改进钴硅化物中的空泛缺点及下降锗硅源漏处的寄生电阻，使钴硅化物与锗硅源漏兼容，拓宽了钴硅化物的使用规模。

　　天眼查资料显现，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，坐落青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。经过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外出资了5家企业，专利信息85条，此外企业还具有行政许可4个。

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